北京自旋电子学1Mb随机存储器研制成功
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近日，由北京市科委支持的重点科技计划项目“自旋电子学*Mb随机存储器”顺利通过验收，该项目由北京航空航天大学牵头，******、北京控制工程研究院共同承担。课题组围绕存储容量为*Mb的自旋电子学随机存取存储器（STT-MRAM）的研制，设计并制备了高性能的磁性隧道结存储器件，搭建了完整的器件仿真、制备及测试整体平台，开发了可与传统CMOS 工艺兼容的磁隧道结制备技术，完成了*Mb存储器集成电路的设计、仿真和CMOS电路部分流片工作，采用商用的STT-MRAM芯片研制出星载计算机样机，并完成了宇航级应用测试。 该项目部分成果已发表于国际顶级期刊Nature Communications；围绕国产STT-MRAM存储器研制，产生多项高质量发明专利，其中部分技术已实现成果转化。
