广东广东中科半导体微纳制造技术研究院2021年11月至2021年12月政府采购意向
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为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔****〕**号）等有关规定，现将本单位****年**月至****年**月采购意向公开如下： 序号 采购项目名称 采购需求概况 落实政府采购政策情况 预算金额(元) 预计采购时间 备注 * 深反应离子刻蚀（DRIE）深硅刻蚀机 标的名称：深反应离子刻蚀（DRIE）深硅刻蚀机 标的数量：* 主要功能或目标：*.刻蚀机设备构成：①真空反应室：提供工艺过程中的真空环境，包括内衬、静电卡盘、真空计、真空开关等、②等离子体系统：提供双等离子体源和偏压控制，包括射频电源、全自动匹配器等。③自气路输送系统：提供中心和边缘工艺气体，包括MFC、气动阀门等；④排气系统：用于反应副产物的排出，包括摆阀、分子泵、干泵等。⑤温度控制系统：用于工艺过程中的温度参数控制，包括加热器、控制器等⑥终点检测系统 需满足的要求：设备性能需求： *.* 适用*/*英寸样品（可转换*/*寸CHUCK）。 *.* ESC系统，温度控制范围：-**-**℃。 *.* 工艺验收标准： ***.******.*** Process A是硅快速刻蚀工艺，使用带有*mm左右正方形光刻胶掩模（厚度大于* um）的*寸片，其中Si暴露面积小于*%。要求刻蚀速率大于**μm/min，Si对光刻胶掩模选择比大于***:*，wafer与wafer之间刻蚀均匀性+/- *%。 ***.******.*** Process B是TSV工艺，使用带有直径**μm左右圆孔光刻胶掩模（厚度大于*.* um）的*寸片，其中Si暴露面积小于*%。要求刻蚀速率大于*μm/min，图形陡直度**±*.*°，Mask Undercut小于***nm，图形边壁Scallops小于***nm，Si对光刻胶掩模选择比大于**:*，wafer内均匀性+/- *%，wafer与wafer之间均匀性+/- *%。 ***.******.*** Process C是刻蚀线槽工艺，使用带有宽度**um线槽光刻胶掩模（厚度大于**um）的*寸片，其中Si暴露面积小于*%。要求选择比大于***:*，均匀性在±*%以内。 落实国家关项目于节能产品、环保标志产品、促进中小企业发展、残疾人福利性单位、贫困地区农副产品等政策情况 **,***,***.** ****年**月 本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。 广东中科半导体微纳制造技术研究院 ****年**月**日
