湖北武汉中建一局承建的武汉长飞先进SiC功率半导体制造基地主厂房主体结构全面封顶
查看隐藏内容（*）需先登录
***.******.***近日，中建一局承建的武汉长飞先进SiC功率半导体制造基地主厂房主体结构全面封顶。 项目位于湖北省武汉市东湖高新区，总建筑面积约**万平方米，建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼等。项目主要聚焦第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。项目建成投产后，可年产**万片SiC MOSFET晶圆、****万个功率器件模块，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩等领域，将助力武汉打造国内化合物半导体产业高地。（陈天宇）***.******.***
