湖北武汉深圳市海思半导体有限公司武汉铟磷半导体实验室环评简本公示
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*.建设项目情况简述*.*项目由来************,成立于****年**月,前身是创建于****年的华为集成电路设计中心。海思的产品涵盖无线网络、固定网络、数字媒体等领域的芯片及解决方案,成功应用在全球***多个国家和地区。特别在数字媒体领域,已推出网络监控芯片及解决方案、可视电话芯片及解决方案、DVB芯片及解决方案和IPTV芯片及解决方案。多年的技术积累使海思掌握了国际一流的IC设计与验证技术,拥有先进的EDA设计平台、开发流程和规范,已经成功开发出***多款自主知识产权的芯片,共申请专利***多项。******为了完善自身产品体系,拟在武汉市建设铟磷半导体实验室项目,用于研发光接收器和光发射器。*.*拟建项目情况简述企业拟建项目基本构成见表*-*-*。表*-*-* 项目基本构成表项目名称武汉铟磷半导体实验室项目建设单位******法人代表徐直军联系人王刚电话***-********总投资*****万元建设性质新建建设地点武汉市东湖新技术开发区高新大道以北,外环线以西未来科技城新能源基地C*单元(位于未来科技城起步区一期南部中间区域)主要建设内容及规模主要建筑包括*栋*层生产厂房(C*建筑)、*个供气车间(C*a建筑)和一座地下式污水处理站,总占地面积为****.*m*,总建筑面积****.**m*,新建光接收器和光发射器生产线各一条,年产光接收器和光发射器各**万件。生产班制和劳动定员项目劳动定员约***人,实行一班工作制,全年工作***天,主体设备年运行时间为****h*环境质量现状从现场监测数据分析可知,评价区域内常规因子SO*、NO*、PM**和特征污染物氟化物可满足GB****-****《环境空气质量标准》及修改单中的二级标准要求,特征污染物氨、氯化氢、硫酸、砷化物可满足TJ**-**《工业企业设计卫生标准》表*中“居住区大气中有害物质的最高容许浓度”中要求,特征污染物非甲烷总烃可满足《大气污染物综合排放标准详解》(国家环境保护局科技标准司编著,****年环境科学出版社出版)中的推荐浓度要求。长江各断面水质指标中均达到GB****-****《地表水环境质量标准》“Ⅲ类水域”标准,水质情况良好。从现场监测数据分析可知,*个地下水现状监测点水质不能完全满足GB/T*****-**《地下水质量标准》Ⅲ类标准要求,项目所在地地下水环境现状较差,不能满足其相应的功能区规划要求,导致其超标的原因周边居民生活污水未经有效处理外排以及农业面源污染。项目各侧场界昼间噪声监测值均不能满足《声环境质量标准》(GB****-****)“*类区”标准的要求,超标的原因是现场正在进行土建施工,建筑施工噪声对周边声环境的不利影响导致厂界噪声超标。项目所在地生态结构主要以人工生态系统为主。*环境影响及污染防治措施*.*废水项目运营期废水主要为办公生活污水和生产废水。生活污水污染物主要为COD、BOD*、SS、氨氮,生产废水主要污染物为pH、COD、SS和氟化物。项目生产废水产生量为**.*m*/d,项目地埋式污水处理站的设计规模为**t/h,日运行约*h;生活污水产生量为*.* m*/d。项目生产废水经厂内污水处理设施处理达到豹澥污水处理站GB****-****《污水综合排放标准》表*中三级标准后,与经化粪池处理后的生活污水汇合,然后排入园区污水管网,再汇入高新大道市政污水管网,经豹澥污水处理厂二级处理后,尾水排入长江(武汉段),项目废水不会对周边地表水体和地下水体产生影响,豹澥污水处理厂预计****年可投入使用,在该污水处理厂未投入使用以及项目所在地与污水处理厂的管网未连通前,本项目不得投产。*.*废气(*)外延尾气项目外延尾气中主要污染物为砷烷和磷烷,本项目外延废气处理采用国际上先进的半导体废气专用处理器,其原理是利用化学吸收的方法将废气中的污染物质转化为固体物质,并且该化学吸收的反应不可逆,污染物从吸附污染物后的介质中逸出的可能性极小,根据本项目拟采用的半导体专用废气处理器的同类装置的SGS检验报告可知;该装置对砷烷的平均去除率大于**.*%,对磷烷的平均去除率大于**.*%,本项目外延废气经此专用装置处理后,砷烷和磷烷的排放浓度和排放速率均可满足《荷兰排放导则》(NER)的要求。(*)有机废气项目在芯片清洗过程需要用到乙醇、丙酮等有机溶剂,光刻胶中亦含有有机溶剂,这些物质使用过程中会产生有机废气,本评价以非甲烷总烃表征,该有机废气通过活性炭纤维吸附后通过**m高排气筒排放,有机废气经处理后排放浓度和排放速率均可满足GB*****-****《大气污染物综合排放标准》表*中二级标准要求。(*)酸性废气治理本项目的酸性废气主要污染物为氟化物、氯化氢和硫酸雾。本项目设置*套酸性废气处理装置,采用*~*%NaOH溶液进行洗涤,利用碱液对酸性废气进行中和,处理后的废气通过**m高的排气筒外排,处理后的各酸性废气排放浓度和排放速率均可满足GB*****-****《大气污染物综合排放标准》表*中二级标准要求。(*)碱性废气治理本项目碱性废气主要为氨气,其产生量较少,经引风机引至**m高排气筒排放,氨气排放速率能满足GB*****-**《恶臭污染物排放标准》表*中相应标准限值。*.*噪声项目噪声主要为设备运行噪声。根据项目设备的布局及发声特点,噪声污染源空压机集中在C*建筑内的动力站,其他主要噪声污染源设备冷水机组、风机、水泵等集中在C*建筑屋顶层。项目在空压机房内设置内表面吸声材料,冷水机组设置整体隔声罩,风机进出口安装消音器等措施后,厂界噪声可达到GB*****-****《工业企业厂界环境噪声排放标准》*类标准。*.*固体废物项目产生的一般工业******回收利用;危险废物交由有相应危废处理资质的单位委托处理;生活垃圾在厂内集中收集后由环卫部门定期清运;综上所述,本项目产生的固体废物均由合理去向,不对外排放,不会对周边环境产生影响。*.结论*.*环境可行性分析(*)产业政策符合性分析项目符合《电子信息产业制造业十二五规划》要求、属于《产业结构调整指导目录(****年本)》中鼓励类,因此项目符合产业政策要求。(*)城市总体规划符合性项目符合《武汉市城市总体规划(****-****年)》、《武汉科技新城总体规划(****~****年)》。(*)达标排放符合性分析及环境影响项目污染物经处理后均能达标排放,对周围环境影响较小。(*)清洁生产水平所有设备均采购自世界著名厂商,为最新领先水平的工艺设备和测试仪器。所采购设备水平为国际先进、国内领先;项目所开发的光电芯片、器件产品主要为高端光电子产品,在国内处于领先地位并填补国内空白,与国外著名同类厂商处于同一水平,因此项目符合清洁生产原则。*.*环评总结论本建设项目符合国家相关产业政策,符合武汉城市发展总体规划及武汉科技新城发展规划。项目在建成运行后将产生一定程度的废气、废水、噪声及固体废物的污染,在落实清洁生产方案、严格采取拟定的各项环境保护措施和本评价提出补充措施、完善应急对策、实施环境管理与监测计划以及主要污染物总量控制方案以后,项目对周围环境的影响可以控制在国家有关标准和要求的允许范围以内,并将产生较好的社会、经济和环境效益。因此,该项目的建设方案在环境保护方面可行,可以在拟定地点、按拟定规模及计划实施。*.公众意见征集*.*公众调查内容根据项目特点和周围环境特征,调查内容主要包括:被调查者的基本情况、被调查者对目前居住环境的态度、对项目建设所持态度、有何意见和建议、对项目建设产生的环境影响,如噪声、大气、水等的态度和意见、公众认为的项目建成后的作用。*.* 公众参与联系方式******武汉铟磷半导体实验室项目环境影响报告书简本如上,公众参与联系方式如下:(*)建设单位名称:******联系人:王刚联系方式:***-********(*)湖北******地 址:武汉市发展大道***号兴城大厦A***电 话:***-********E-mail:******