陕西西安西安工业大学2025年01月政府采购意向
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为便于供应商及时了解政府采购信息，根据《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔****〕**号）等有关规定，现将本单位****年**月至****年**月采购意向公开如下：序号采购项目名称采购需求概况预算金额(万元)预计采购时间备注*西安工业大学高精度光学表面改性设备采购内容:高精度光学表面改性设备；主要功能或目标:*、真空反应腔：①真空反应腔配置内衬套、减少反应腔内表面沉积；②内壁加热温度可到***℃或以上；③载物台：直径≥***mm，兼容*英寸及以下的晶圆片和碎片样片；④加热温度可到***℃或以上，配置温度传感器，精度±*℃；⑤反应腔的本底真空≤ *E-* mbar；真空漏率≤ *E-* mbar?l/s。
*、真空系统：①预真空室配置单独的干泵、真空计,预真空室本底真空≤ *E-* mbar；真空漏率≤ *E-* mbar?l/s；②真空系统配置工艺用抽速≥ *** m*/h的防腐蚀设计干泵，配置抽速≥*** l/s的防腐蚀设计涡轮分子泵，本底真空≤ *.*E-* Torr；
*、前驱体源系统：①配置至少*路独立的液体/固体前体源管路；每路前驱体源管路配置独立的阀门；*路前驱体源管路种类至少为：*路带管路加热的直抽管路；*路带管路加热、前驱体罐加热（最高可到***℃或以上）、并带有起泡器Bubbler的起泡器管路；②可使用的前驱体源种类至少包括：H*O, TMA, TDMAHf，TEZ以及铟源、镓源、锌源、镍源等；③配置至少*路惰性气体的载气管路，配置至少*路独立的气体源（例如：O* 、NH*、N*）管路，每路气体源管路需配有质量流量计（MFC）、颗粒过滤器和气体截止阀；对有毒/腐蚀气体管路（例如NH*）需配有旁路bypass。
*、前驱体源系统：①配置真远程等离子体方式或电感耦合等离子源；②等离子体源的射频功率≥ ***W，频率**.** MHz；③配有自动匹配盒，可通过固定匹配模式或自动匹配模式稳定地起辉；④配置计算机控制的等离子体源关闭阀（等离子体快门）
*、原位实时监测系统：①采用激光椭偏仪实时监测薄膜生长过程，可进行膜厚的在线测量，还可实时监测到原子层沉积工艺每一个循环的每一个步骤；②该装置软件与沉积系统操作软件相兼容，可在沉积系统操作软件中直接调用膜厚测量值、实现终点检测；③配置与真空腔相连的特制法兰与光学窗口，配置快门系统、仅在测量时打开、避免该光学窗口被污染；④测量波长***.*nm；最快测量时间≤ **ms；；需满足的要求:设备投入运行后，可以满足如下需求：
*、薄膜沉积能力：满足IGZO、IZO、In*O*、InON、NiO等n、p型半导体薄膜的制备，以及HfO*、Al*O*、ZrO*等高k绝缘介质薄膜的制备。除Al*O*外，其它薄膜的薄膜均匀性应满足：①小于*.*%@*inch，②小于*%@*inch；重复性应满足：不同批次的薄膜均匀性偏差小于*%。
*、薄膜性能参数指标：①*英寸硅片上沉积**纳米厚度Al*O*非均匀性小于*.*%，漏电流密度小于等于** A/cm @ *M V/cm；②*英寸热氧化硅片上沉积**-**纳米厚度IGZO非均匀性小于*.*%，载流子迁移率达到** cm*/Vs以上；③*英寸热氧化硅片上沉积**-**纳米厚度InON非均匀性小于*.*%，载流子迁移率达到** cm*/Vs以上，InON-TFT偏压应力稳定性小于*V@****s。。***.******年**月无本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。西安工业大学****年**月**日
