广东深圳感应耦合等离子体刻蚀机采购
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深******受深圳市政府采购中心的委托，就深圳大学感应耦合等离子体刻蚀机采购进行公开招标，欢迎国内对上述项目有供货能力的合格供货商参加投标。*、合格的投标人必须具有下列资质和条件：（*）具有独立法人资格；（提供证照扫描件或复印件加盖投标人公章） （*）须为深圳市政府采购中心注册的供应商；（提供注册卡扫描件或复印件加盖投标人公章）（*）近三年内无行贿犯罪记录。（由深圳市政府采购中心定期向市人民检察院申请对政府采购供应商库中注册有效的供应商进行集中查询，投标文件中无需提供证明材料）*、招标编号：SZYM****-G*****、招标项目：深圳大学感应耦合等离子体刻蚀机采购（需求详见：附件）*、标书购买：凡愿意参加投标的合格投标人，必须携带法定代表人授权委托书原件、营业执照或证书及上述资质和条件证明的复印件（加盖公章，原件备查，如有外文证明文件的须翻译成中文件），其中，外地投标单位可以用传真件（原件备查），按以下时间、地点购买标书：购买标书时间：****年**月*日起至**月**日止，每日上午*：**～**：**，下午**：**～**：**（公休日及节假日除外，招标文件中时间均为北京时间）；购买标书地点：深圳市罗湖区嘉宾路****号深华商业大厦*层***室，深******；本招标文件每包售价人民币***元，售后不退；如需邮购，另加人民币**元。*、答疑事项：请投标人于****年**月*日下午*时前，将对招标文件的疑问以书面形式（包括认为招标文件的技术指标或参数存在排他性或歧视性条款）加盖单位公章传真或送达我司，逾期不予受理。我司会将集中答疑结果在深圳市政府采购中心网站或我司网站以公开发布方式发送给所有投标人。对招标文件的任何修改，以我司发出的通知为准。*、投标截止时间：****年**月**日下午*：***、开标时间：****年**月**日下午*：***、逾期送达或不符合投标规定的投标文件恕不接受*、开标地点：深圳市罗湖区嘉宾路****号深华商业大厦*层***室联系电话：******** ******** 联系人：张珂文 石欣平传真：******** 邮编：******帐户名称：深****** 开户银行：平安银行深圳国贸支行帐号：************** 网址：http：//***.******.***深******二○一五年十二月三日附件：需求(详见招标文件)一、项目背景感应耦合等离子体刻蚀机项目是深圳市财政委员会批复的高端人才科研启动费项目。主要用途：感应耦合等离子体刻蚀机主要应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物基（GaN、GaAs）LED芯片结构及器件制备方面的研究；必要性：Ⅲ-Ⅴ族化合物基LED是目前光电研究领域的热门课题，基于LED芯片结构对LED器件的光电性能影响方面的探索目前仍有较大空间，许多国内知名实验室均已开展了相关方面的研究，今早开展相关方面的研究工作，有助于提升实验室水平及在国内外同行业间的影响力。Ⅲ-Ⅴ族化合物刻蚀需采用氯基刻蚀气体，由于氯基气体的污染性，因此，刻蚀机必须具备耐氯气腐蚀性，同时，考虑到安全因素，工艺气体供给、尾气处理等各个分析图，需要一次性备齐。二、具体技术要求*、主要功能及配置*.* ▲要求采用氯基刻蚀气体，可刻蚀Si、SiOx、SiNx、部分金属（如Al、Cr、W、Mo）、GaN、GaAs、聚合物等。*.* 要求配有Load-Lock系统，由机械手完成自动送样/取样过程。*.* 要求系统采用计算机控制，液晶显示屏、鼠标键盘操作，Windows会话界面，操作简单方便，并支持自动控制和手动控制两种方式，可实现真空系统及工艺过程全自动化操作。*.* 要求刻蚀室为铝质结构，内表面采用硬质阳极氧化处理。*.* 要求设备配置两台射频电源（**.**MHz）及自动匹配器。耦合电极配备一套****W射频源，射频偏压极配备一套***W射频源。*.* ▲要求采用至少*台质量流量控制器控制*路工艺气体进气。气体管路采用*/*英寸***L不锈钢硬管，VCR密封。其中Cl*、BCl*气体管路带有N*吹扫。*、主要技术指标*.* ▲极限真空：样片室：优于*.**×**-*Pa刻蚀室：优于*.*×**-*Pa（环境湿度≤**%，系统经烘烤除气）*.* 最小刻蚀线条：可刻蚀线条宽度***nm的图形*.* ▲样品最大尺寸：不小于Φ***mm（*英寸）*.* 水冷台温度：**℃（使用冷媒循环液，冷却温度可低于*℃）*.* ▲刻蚀不均匀性：优于±*%（不小于Φ***mm范围内）*、▲配套设施：循环喷淋式尾气处理系统一套（耐腐蚀磁力泵，三级喷淋；可处理CL*：***sccm、BCL*：***sccm；处理效率≥**%），循环水机一台，空气压缩机一台，工艺气体*瓶（SF*、C*F*、O*、Ar、Cl*、BCl*各一瓶）。*、本次招标为交钥匙工程，投标方需负责运输、安装、调试、验收及培训等相关工作及费用。三、技术验收主要标准*、极限真空：样片室：优于*.**×**-*Pa刻蚀室：优于*.*×**-*Pa（环境湿度≤**%，系统经烘烤除气）*、可刻蚀材料：Si、SiOx、SiNx、Al、Cr、W、Mo、GaN、GaAs、聚合物等*、▲样品最大尺寸：Φ***mm（*英寸）*、▲刻蚀不均匀性：优于±*%（Φ***mm范围内）*、▲深宽比：≥**：**、▲陡直度：≥**°
